LTspice:简单理想化的二极管

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Gabino Alonso - 市场策略工程师

LTspice半导体二极管模型对于仿真非常重要,特别是当您想要查看包含击穿行为和复合电流的结果时。 然而,与LTspice中的半导体二极管模型一样完整,有时您需要一个简单的“理想二极管”模型来快速仿真,例如有源负载,电流源或限流二极管。 为了提供帮助,LTspice提供了一个理想的二极管模型。

要在LTspice中使用此理想化模型,请为二极管(D)插入一个.model语句,并指定一个或多个以下参数:Ron,Roff,Vfwd,Vrev或Rrev。

模型   MyIdealDiode D(Ron = 1 Roff = 1Meg Vfwd = 1 Vrev = 2)

idealdiodeschematic

LTspice中的理想二极管模型具有三个线性传导区域:导通,关断和反向击穿。 正向导通和反向击穿可以进一步用限流参数Ilimit和revIlimit来指定。

模型   MyIdealDiode D(Ron = 1 Roff = 1Meg Vfwd = 1 Vrev = 2 Ilimit = 1 RevIlimit = 1)

此外,为了平滑关闭状态和导通状态之间的切换,还可以定义参数epsilon和revepsilon。

模型   MyIdealDiode D(Ron = 1 Roff = 1Meg Vfwd = 1 Vrev = 2 Ilimit = 1 RevIlimit = 1 Epsilon = 1 RevEpsilon = 1)

二态函数也被用在断态和导通状态之间,使得理想化的二极管IV曲线在数值和斜率上是连续的,从而在由epsilon和revepsilon值指定的电压上发生转变。

在原理图中插入.model语句后,可以编辑组件属性中的二极管符号的值(Ctrl +右键单击)以匹配您在语句中指定的名称。 有关LTspice二极管模型的更多信息,请参阅帮助主题(F1)。

idealdiodewaveform

为了好玩,在下面的电路示例中,使用理想化的二极管模型来模拟非同步降压控制器中的MOSFET的RDS(ON)。 通过使用理想的二极管模型而不是传统的肖特基二极管,可以很容易地比较同步整流的传导损耗。

idealdiodeexample