EUV光源厂商散伙

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  日本的Komatsu和Ushio稍早前宣布,已终止有关光源合资企业Gigaphoton的合作协议。Komatsu将从Ushio手中买下50%股权。未来Gigaphoton将成为Komatsu的全资子公司。而此举会为EUV的未来投下何种变数仍有待观察。

  成立于2000年8月的日本Gigaphoton公司主要业务是开发、生产和销售光刻工具用的准分子激光光源,是由Ushio和Komatsu合资成立的企业,双方各握有50%股权。

  包括Cymer、Gigaphoton、Ushio和其他业者都正在为下一代光刻工具开发EUV光源Gigaphoton采用激光激发电浆型(LPP)户方法,而Ushio则采取放电激发电浆型(DPP)方法(电 子工程 专辑版权所有,谢绝转载)。

  现在,Gigaphoton和Ushio将在EUV光源市场中展开竞争。Cymer公司是LPP技术的推动厂商。在LPP方法中,电浆是透过在指定材料上收集强大的激光束来激发,而DPP方法则是透过在电子间对大电流脉冲充电来激发电浆。

  日本的Ushio去年收购了飞利浦电子的EUV光源业务。飞利浦之前便已将其EUV事业部转移到日本公司的EUV部门,称之为Xtreme Technologies GmbH。Xtreme一直在从事EUV光源的研发,并自2008年起与飞利浦合作开针对下一代半导体技术的EUV光源

  Ushio在2005年取得Xtreme的50%股权,并于2008年与飞利浦携手展开研究,其研究也特别着重在EUV光源部份。而在同一年,Ushio也并购Xtreme,使其成为100%的子公司(电子工 程专 辑版权所有,禁止转 载)。

  目前,作为下一代光刻技术主要候选人之一的EUV技术,仍然因为光源、光刻胶和关键掩膜与量测基础设施的缺乏而延迟(参阅电子工程专辑报道:光刻世界的期待与沮丧)。但芯片制造商仍对它充满寄望。“我们估计在14nm节点可导入EUV技术,”台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义说。

  台积电的28nm工艺采用的是193nm浸入式光刻技术;蒋尚义表示将在20nm工艺导入双重曝光(double patterning),而EUV技术则预计最快在14nm时才可望实现。

  “EUV的最主要挑战在产量和光源,”蒋尚义说。尽管站在芯片供应商的角度,整个产业都致力于建构完整的EUV基础环境,但根本上EUV要能顺利应用仍然缺乏许多条件,特别是在光源部份,现在整个产业都在等待光源的改良(电 子工 程专 辑版 权谢绝转 载)。

  不过,就算EUV真的赶不及,蒋尚义表示,仍有其他替代技术可供选择。他看好电子束技术。举例来说,“荷兰Mapper Lithography已经开发出110电子束系统了,尽管该系统仍在开发初期,但根据产品蓝图,未来该公司将提供13,000电子束系统,”蒋尚义说。

  从技术角度来看,“我们至少可以延伸到7nm或8nm,”蒋尚义说。而芯片制造商在选择下一代光刻技术时,必须对晶圆成本做全盘考量。因此,下一代光刻技术的发展仍然充满变数。

  台积电预计2012下半年试产20nm工艺,而预估2013~2014导入的18英寸晶圆也将搭配20nm工艺。