厂商升级先进制程 明年DRAM位供给量可大幅成长

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2009年第二季全球景气在历经金融海啸冲击后自谷底逐季攀升, DRAM 价格亦伴随景气回复同步自谷底走扬。

DIGITIMES Research分析师柴焕欣说明,2006年以来,包括台、美、日等 DRAM 厂即因产品价格持续下跌而处于长期亏损窘境;在金融海啸期间,更因不耐景气严寒,除削减资本支出、停止原先扩厂计划外,亦先后采取减产、裁员、关厂等策略因应,为的就是保有手中现金。

至2009年第四季前, DRAM 厂商对景气展望仍相当保守,加上缺乏足够现金部位提供购料投片,即使面对来自PC市场需求逐季升温,DRAM供给增加亦相对有限,这也是DRAM价格自2009年第二季至2010年第二季之间,得以维持将近5季荣景的重要原因。

然而,2010年第二季以来,先有三星电子(Samsung Electronics)宣布26兆韩元的投资计划,率先将30纳米制程导入量产,并大幅扩充内存产能;加上欧债风暴影响,来自PC市场对DRAM的需求顿时减弱,两大因素亦使得DRAM价格加速下滑,1Gb DDR3现货价从2010年第二季的3.08美元,跌至2010年第四季1.16美元,跌幅达62%,且至12月都尚未见到止跌回稳的迹象。

柴焕欣分析,事实上,除三星以外的主要DRAM厂,在产能扩充的脚步都显得相当保守,但随先进制程占产出比重提高,产能依然出现明显成长,以65纳米制程升级至50纳米制程,产能即可增加50%,从50纳米制程转换至40纳米制程,产能将更进一步成长45%。

依据各 DRAM 厂所开出产能分析,柴焕欣预估, 2010年全球 DRAM 位供给量将达20.4亿Gb,较2009年的13.6亿Gb成长49.4%。 2011年全球DRAM位供给量将达32.3亿Gb,较 2010年的20.4亿Gb更进一步成长58.8%, 2011年DRAM位供给量大幅成长的原因则来自于先进制程的升级,其次才是来自于产能扩增。

包括美光、南科、华亚科、瑞晶、尔必达等DRAM大厂,45/40纳米制程产能将于2011年大量开出,且先进制程占营收比重将会逐季提高,柴焕欣认为,这意味着2008年下半以来DRAM控制产能扩张的时期将告一段落,转而进入透过制程升级来扩张产能的新时期,这也将会是影响2011年全球DRAM市场景气荣枯的最关键因素。