存储预测:2011年DRAM位元成长率上涨50%

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2011年DRAM产业中,虽然三星电子(Samsung Electronics)已揭露大扩产计划,包括兴建12寸晶圆厂Line-16,以及将现有Line-15升级至35纳米制程,但综观整个DRAM产业 的位元成长率,仍都是来自于制程微缩为主,包括三星35纳米制程将在2011年下半超过50%,以及海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光 (Micron)的30纳米制程也都将在第2季大量产出,集邦科技预估2011年全球DRAM产业位元成长率(Bit Growth)将增加50%。

三星电子2010年上半宣布的巨额资本支出计划震撼半导体产业,其中主要的资本支出都以半导体和面板为主, 预计投资在存储器的金额高达9兆韩元,包括兴建12寸晶圆厂Line-16,其月产能将达20万片,以及将现有Line-15升级至35纳米制程,同时也 有另一部分的资本支出适用于晶圆代工和逻辑事业上。

不过,随著2010年下半存储器景气反转,价格大崩盘,虽然三星成本相当低,因此稳如泰山,但三星其实也针对Line-16这做新12寸晶圆厂考虑放缓脚步或是先以NAND Flash芯片为主。

不论如何,整个2011年DRAM产业主要的位元成长性,最大宗仍是来自于制程微缩的贡献,其中国际大厂都是积极从40纳米制程转进30纳米制程,进度最快的会是三星;而台系DRAM厂则是积极从现有的70纳米、60纳米或是50纳米等,转进40纳米制程。

其中瑞晶速度最快,预计2011年底前,旗下8万片12寸晶圆厂产能将100%都转进尔必达的45纳米制程,瑞晶未来在尔必达的制程技术研发上,将占有重要角色,瑞晶已成为台湾第1家向艾司摩尔(ASML)下订深紫外光(EUV)机台的DRAM厂。

其它象是南亚科、华亚科都将从50纳米转进42纳米制程,力晶也将从63纳米转进45纳米制程。

根据集邦科技统计,2011年全球DRAM产业位元成长率(Bit Growth)将增加50%,三星电子预期35纳米制程比重将在2011年下半超过50%,而海力士、尔必达和美光将会在第2季大量产出30纳米制程。

再者,对于DRAM价格走势,集邦也预期DRAM价格会从2011年第1季或是第2季末开始反弹,估计2011年个人计算机(PC)成长率将达11.8%,平板计算机(Tablet PC)将刺激Mobile DRAM成长80%。

业者也预期,2011年第1季DRAM价格如果持续下滑,将给第2季刺激需求出笼一个很好的引爆点。

在 终端应用方面,虽然市场都担心平板计算机或是Netbook流行的趋势,会影响DRAM消耗量,对于整个DRAM产业是开倒车,但在Netbook方面, 集邦也预估2011年Netbook存储器搭载率也会被拉升至2.13GB,年成长率将达105%,而桌上型计算机(DT)和笔记型计算机(NB)的存储 器搭载率将提升36%和31%,会到4.22GB和4.00GB。