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LT4356如何提高芯片关断mos速度

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发表于 2012-6-8 09:53:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
我在使用LT4356的时候,充电电流是uA级别的,外接电容是uf级的,这样就会出现过流过压情况,关断mos管的时间将近100ms,参考推荐电路中给的参数,是不是我的电容采用pf 或者nf  就能够提高芯片关断mos的速度?

LT4356.jpg
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发表于 2012-6-11 09:00:11 | 显示全部楼层

回复:LT4356如何提高芯片关断mos速度

4356的充电电流uA,关掉电流在mA,

01.jpg

如果想减小起级的冲击电流可参考如下电路

02.jpg
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 楼主| 发表于 2012-6-11 09:35:40 | 显示全部楼层

回复:LT4356如何提高芯片关断mos速度

多谢Linear的专家的建议,我设计的时候考虑到产品性能的要求,希望一出现过流或者过压时,系统就关断,就是希望很快的关断,不知道有没有什么好的方法或者相关的芯片推荐。
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发表于 2012-6-12 07:33:47 | 显示全部楼层

回复:LT4356如何提高芯片关断mos速度

可以参考4356的升级版本;LTC4363,Fast Overcurrent Limit: Less Than 5μs
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 楼主| 发表于 2012-6-12 09:03:07 | 显示全部楼层

回复:LT4356如何提高芯片关断mos速度

回复第 4 楼 于2012-06-12 07:33:47发表:
可以参考4356的升级版本;LTC4363,Fast Overcurrent Limit: Less Than 5μs

谢谢专家的建议,我先了解下LTC4363的性能参数和应用。
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